第三代半導體在我國發(fā)展的開(kāi)端應追溯至2013年。當年我國科技部制定“863計劃”首次明確將第三代半導體產(chǎn)業(yè)劃定為國家戰略發(fā)展產(chǎn)業(yè)。隨后2016年，國務(wù)院國家新產(chǎn)業(yè)發(fā)展小組將第三半導體產(chǎn)業(yè)列為發(fā)展重點(diǎn)之一。至此，我國企業(yè)開(kāi)始加大對第三半導體研發(fā)投入。2018年中車(chē)時(shí)代電氣建成了我國首條6英寸碳化硅SiC生產(chǎn)線(xiàn)。同年泰科天潤建成了我國首條碳化硅SiC器件生產(chǎn)線(xiàn)。2019年，三安集成建成了我國首條6英寸氮化鎵GaN外延芯片產(chǎn)線(xiàn)并投入量產(chǎn)。2020年華潤微宣布國內首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線(xiàn)正式量產(chǎn)。

2020年第三代半導體產(chǎn)業(yè)被編入了我國“十四五”規劃。截至當年底，我國SiC導電型襯底折算4英寸產(chǎn)能約40萬(wàn)片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸產(chǎn)能約為22萬(wàn)片/年，SiC-onSiC器件/模塊(4/6英寸兼容)產(chǎn)能約26萬(wàn)片/年。GaN-on-Si外延片折算6英寸產(chǎn)能約為28萬(wàn)片/年，GaN-on-Si器件/模塊折算6英寸產(chǎn)能約為22萬(wàn)片/年。2021年，我國SiC襯底環(huán)節新增投產(chǎn)項目超過(guò)7項，新增投產(chǎn)年產(chǎn)能超過(guò)57萬(wàn)片。

目前，GaN電力電子器件主要應用在快充領(lǐng)域。SiC電力電子器件重點(diǎn)應用于新能源汽車(chē)和充電樁領(lǐng)域。隨著(zhù)，新能源汽車(chē)、5G、PD快充等市場(chǎng)的快速發(fā)展，我國國產(chǎn)第三代半導體產(chǎn)能無(wú)法滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。據統計，目前超過(guò)八成產(chǎn)品來(lái)自進(jìn)口。

2021年我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)，在電力電子和射頻電子兩個(gè)領(lǐng)域，實(shí)現總產(chǎn)值達127億元。其中SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規模達58億元。GaN微波射頻產(chǎn)值達到69億元。在國家政策的穩定支持和下游應用市場(chǎng)需求支撐下，預計2027年，我國SiC、GaN電力電子器件應用市場(chǎng)有望超660億元，GaN微波射頻器件市場(chǎng)超240億元。2027年我國第三代半導體整體市場(chǎng)規模有望超過(guò)900億元。

SEMI-e 2022深圳國際半導體技術(shù)暨應用展將于2022年12月7-9日，在深圳國際會(huì )展中心17號館（展示面積：5萬(wàn)平米）舉行。

由中國通信工業(yè)協(xié)會(huì )、深圳市半導體行業(yè)協(xié)會(huì )、廣東省集成電路行業(yè)協(xié)會(huì )、廣州市半導體行業(yè)協(xié)會(huì )、江蘇省半導體行業(yè)協(xié)會(huì )、浙江省半導體行業(yè)協(xié)會(huì )、成都市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì )、深圳市中新材會(huì )展有限公司聯(lián)合主辦。

* SEMI-e上屆展會(huì )現場(chǎng)照片

本屆展會(huì )重點(diǎn)打造的以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導體展區以及第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇等系列同期活動(dòng)。誠邀您前來(lái)交流！

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